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Agenda

1) Formation de la jonction PN et identification des zones de génération-recombinaisons et de la zone de charge d'espace et capacité de la jonction sous polarisation nulle

2) la jonction PN sous polariation directe et dérivation de la relation tension -courant et de la capacité de diffusion

3) la jonction PN sous polarisation inverse, la tension de claquage et la capacite de jonction.

Chapitre 5:    Physique de la diode Schottky

1) Jonction Metal-Semiconducteur

  Contact Ohmique, Etats d'interfaces

2) Le courant dans une diode Schottky, la caracteristique I(V)

3) La caracteristique C(V)

4) Le circuit equivqlent

5) Etude comparative avec la diode a jonction PN

 

Agenda:

1) Notions de fonctions de distributions des particules

2) les semiconducteurs à l'équilibre thermodynamique

3) les semiconducteurs hors-équilibre thermodynamique 

This course deals with the fabrication technology of Diodes.

A detailed description of all the processes is put forward together with drawings and schematics.

The students are required to read the whole chapter and answer questions at its end.

The final exam will be questions related to this chapter.